売上高で欧州第2位の半導体メーカーであるSTマイクロエレクトロニクス（STM）と中国企業の三安オプトエレクトロニクスは水曜日、炭化ケイ素の需要の高まりに応えるため、重慶市南西部に32億ドル規模の半導体合弁会社を設立することで合意に達したと発表した。電気自動車、産業用電力、エネルギー分野における (SiC) チップ。
この契約では、新しい 200mm SiC デバイス製造施設の創設が規定されており、2025 年第 4 四半期に生産が開始され、完全拡張は 2028 年に予定されています。
STマイクロエレクトロニクスの社長兼最高経営責任者ジャンマルク・チェリー氏は、「中国は自動車および産業分野の電動化に向けて急速に進んでおり、この市場はSTが多くの熱心な顧客プログラムによってすでに確立されている市場である」と述べた。水曜日に発表された声明。 「主要な現地パートナーと提携して専用のファウンドリを設立することが、中国の顧客からの高まる需要に応える最も効率的な方法です。」
リリースによると、新事業の資金はSTMicroelectronicsとSanan Optoelectronicsからの寄付、地方自治体の支援、合弁事業への融資によって賄われるという。
並行して、三安オプトエレクトロニクスは、合弁事業の要件を満たすために、独自の SiC 基板プロセスを使用して、新しい 200mm SiC 基板製造プラントを別途建設し、運営する予定です。
現代の用途において最も重要な先端セラミックスの 1 つである SiC は、シリコンと炭素で構成される半導体ベース材料です。歴史的に、メーカーはベアリング、加熱機械部品、自動車ブレーキ、さらにはナイフ研ぎ工具などのデバイスの高温環境で SiC を使用してきました。
近年、SiC は半導体業界を牽引する存在となっています。金属酸化物半導体電界効果トランジスタやパワーモジュールなどのチップに使用されます。 SiC デバイスは現在、電気自動車、鉄道輸送、風力および太陽エネルギーの用途で広く使用されています。
中国の主要製造拠点の一つである重慶でのSTマイクロエレクトロニクスの新たな合弁事業は、米国の貿易制裁にもかかわらず、28ナノメートル以上の古いプロセス技術で作られたチップと定義される「レガシー半導体」での強さを維持するための同国の努力を強調している。先進的な集積回路とチップ製造装置への大陸のアクセス。
三安オプトエレクトロニクスの最高経営責任者（CEO）サイモン・リン氏は、STマイクロエレクトロニクスとの合弁事業が「中国市場でのSiCデバイスの広範な採用の重要な推進力」となることが期待されると述べた。リリースによると、製造計画の完了には規制当局の承認が必要だという。
スイスに本拠を置き、40年近く中国で事業を展開しているSTマイクロエレクトロニクスは、米国と中国の間でテクノロジー戦争が激化しているにもかかわらず、世界第2位の経済大国との関係を深めることを決定した。
同月の国営紙エコノミック・デイリーの報道によると、奇瑞社長は12月に中国を訪問し、同国の巨大な電気自動車市場で半導体需要が急速に高まる中、STマイクロエレクトロニクスの中国へのコミットメントを表明した。
STM の支配株式には、フランス政府とイタリア政府が所有する強力な要素が含まれています。問題の協定は、機能しているとはいえ、チップおよびマイクロエレクトロニクス分野における西側と中国の間の技術移転を制限する政策とは対照的である。これは米国と欧州の関係に影響を与える可能性がある。
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STMicroelectronicsが中国のSananと合弁会社を設立し、中国にチップ工場を開設するという記事は、Economic Scenariosからのものです。
これは、Wed, 07 Jun 2023 14:08:45 +0000 の https://scenarieconomici.it/stmicrolectrronics-crea-una-joint-venture-con-la-cinese-sanan-per-aprire-una-fabbrica-di-chip-in-cina/ で Scenari Economici に公開された記事の自動翻訳です。